【菜科解读】

《淮·兵略训》中曾言"一人守隘，而千人弗敢过也。

"晋·《蜀都赋》也有"一人守隘，万夫莫向。

"而更是在《蜀道难》中留下了"一夫当关，万夫莫开”的名句。

那么中国究竟有多少真正"一夫当关，万夫莫开”的险关隘口? 剑门关位于四川省剑阁县，地处四川盆地北部，大、小剑山中断之处，因关隘两旁的峰峦似剑，对峙如门，故称"剑门"。

剑门关是我国最著名的天然关隘之一，享有"剑门天下险"、"天下第一关"之美誉，又因蜀汉丞相曾在此修筑栈道30里，设关守卫，故也称"剑阁"。

剑门关 剑门关是蜀道上最险要的关隘，这里山脉东西横亘百余公里，72峰绵延起伏，形若利剑，直插霄汉。

进入关内长约500米的幽深峡谷中，随处可见前人留下的"天下雄关"、"第一关"、"剑阁七十二峰"等碑刻，诗人李白用《蜀道难》形容剑门关："剑阁峥嵘而崔嵬，一夫当关，万夫莫开"。

而也用一首《剑门》诗咏叹了剑门关地势之险要：“剑门之险雄居天下，两崖如同相并的两堵高墙，这里确乎是一人奋勇当关，百万人马无法靠前。

” 函谷关 函谷关位于河南省灵宝市，它西据高原，东临绝涧，南接秦岭，北塞黄河，是我国建置最早的雄关要塞之一。

函谷关关城东西长7.5公里、谷道最窄处仅容一车通行，因此才有了"一夫当关、万夫莫开"之美誉。

函谷关 函谷关始建于春秋战国时期，战国时秦孝公从魏国手中夺得并加固了函谷关，因为此关地势险要，后来成为了历代兵家的必争之地。

当年楚国联合东方六国之师伐秦，秦国则依函谷关之天险，使六国军队"伏尸百万，流血漂橹"。

不光如此，函谷关还是我国道家学派开山的灵谷圣地，相传当年就是在这里著述了《》之后，驾青牛西出函谷关而去。

雁门关 雁门关位于山西忻州的雁门山中，为万里长城中最重要的关隘。

雁门关以"险"著称，被誉为"中华第一关"、"天下九塞，雁门为首”，雁门关为人工开山凿隘而成，整个关隘呈"V"字型，遂取名为雁门关。

雁门关 战国名将李牧曾在雁门关大破匈奴十余万骑，后人称李牧为"奇才"并在雁门关修建了"靖边寺"，纪念李牧在雁门关立下的赫赫战功。

也派遣大将率兵三十万，从雁门关出击匈奴，收复了河套地区，并把匈奴人赶到了阴山以北。

而"北征"、"昭君出塞"、"宋钦徽二帝北掳"、"镇守三关"等重大历史事件均于雁门关。

仙霞关 仙霞关古称古泉山，为中国古代最险要的关隘，古人称仙霞关为"两浙之锁钥，入闽之咽喉"。

仙霞关自古以来就是兵家的必争之地，它与位于四川广元市南的剑门关、河南灵宝的函谷关及山西的雁门关齐名，是被誉为中国"一夫当关、万夫莫开"的四大古关隘口之一。

仙霞关 仙霞关位于浙江省江山市的仙霞岭，地处福建、浙江、江西三省之交界处，素以雄伟险峻而驰名。

仙霞关东西与高山相连，南北有狭路沟通，朱买臣再向献平定东越的计策时曾言道:“仙霞关一人守险，千人不能上。

其山周围百里，皆高山深谷，登之者凡三百六十级，历二十四曲，长二十里。

” 仙霞关的关门全部是用条石建成，并设有双重关门，关墙厚3米余，高5.5米，长60米，关门两边都是，倘若是关门紧闭，则当真是"一夫当关、万夫莫开"。

星星峡 星星峡雄踞于丝绸古道上的险关要隘，它是由河西走廊入新疆的必经之处，素有“新疆东大门”、"第一咽喉重镇"之称。

星星峡的四面峰峦叠嶂，一条S形的狭窄山路蜿蜒穿过其间，两旁则是危岩峭壁，大有"一夫当关、万夫莫开"之势。

星星峡因其山之上盛产石英石，每当皓月当空，山上石英石便晶莹闪烁，宛若满天星斗，故此得名为星星峡。

星星峡在清末也称猩猩峡，当年遭贬由星星峡入疆，呕心沥血的绘制了“全新疆地图”。

1875年，怀揣林则徐绘制的新疆地图，率6万湖湘子弟歼灭了入侵新疆的阿古柏，确保了新疆的寸土无未失，当左宗棠抬棺入疆，准备血洒西域路过此地时，他见星星峡关隘凶恶险峻，便将星星峡改称为猩猩峡。

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喜报！无锡助力，这一成果入选“中国科学十大进展”

3月25日 国家自然科学基金委员会 在2026中关村论坛年会开幕式上 发布了 2025年度“中国科学十大进展” 此次入选的 十大科学进展分别是 嫦娥六号样品首次揭示月背演化历史和巨型撞击效应 创新方法实现规模化制备柔性超平金刚石薄膜 可控核聚变大科学装置实现“亿度”运行 发现神经酰胺受体和菌源调控物及其在心血管与代谢性疾病中的作用 基因编辑猪肝植入人体突破跨物种器官移植壁垒 炎性衰老机制解析与多维靶向干预 深渊海沟最深处发现繁盛的化能合成生物群落 全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片 实现基于熔盐堆的钍铀核燃料转换 界面调控新方法创制面向空天应用的高性能柔性叠层太阳能电池 其中一项科学进展 与“奋斗者”号载人潜水器 有着紧密的联系 △深渊海沟最深处发现繁盛的化能合成生物群落 中国科学院重大科技基础设施共享服务平台曾于2025年7月31日发布相关信息： 由中国科学院主导的“全球深渊探索计划”（Global Hadal Exploration Programme，简称GHEP）国际研究团队，在西北太平洋的千叶-堪察加海沟和阿留申海沟发现了一个惊人的海底生态系统——在深度达到9533米的深渊海底，存在着目前已知最深的化能合成生命群落及伴生地质流体活动。

这项具有里程碑意义的研究成果于2025年7月30日以1篇研究论文（Article）及1篇研究简报（Research Briefing）同步发表在国际学术期刊《自然》。

研究利用“奋斗者”号深海载人潜水器，揭示了全球海洋最深地带——深渊带中延绵蓬勃生长的化能合成群落和巨大甲烷储库。

这些生命不依赖阳光获取能量，而是利用地质流体中的化学反应获取新陈代谢所必需的能量。

这一突破性发现不仅挑战了关于生命在极端深度生存能力的传统认知，更为理解深海碳循环的复杂机制提供了全新视角。

（全球最深的化能合成生态系统） 这次研究是“全球深渊探索计划”的重要组成部分。

这项为期十年的国际科研计划由深海所主导，旨在利用最先进的深潜技术揭开地球深渊无人区的奥秘。

研究团队已规划了更多考察任务，将进一步探索化能生态系统的全球分布格局，以及它们对全球碳循环的潜在影响。

关于“全球深渊探索计划”（GHEP） “全球深渊探索计划”（GHEP）是一项为期十年的由中国科学院深海科学与工程研究所发起的联合国海洋十年科学计划，致力于探索和认知全球海洋最深区域--深渊，其前身为“全球深渊深潜探索计划”（Glabal TREnD）。

该计划依托“奋斗者”号深海载人潜水器等尖端深潜技术装备对深渊地质、生命与环境开展系统科学研究。

（“奋斗者”号深潜器 动图来源：央视新闻） 链接：“奋斗者”号与无锡 “奋斗者”号深海载人潜水器诞生于江苏无锡，由中船集团七〇二所牵头负责总体设计和集成建造，是我国自主研制的首台万米级载人潜水器。

2020年11月，“奋斗者”号在马里亚纳海沟成功坐底，坐底深度10909米，刷新中国载人深潜纪录，抢占载人深潜技术制高点，在世界最深处留下了鲜明的“太湖印记”。

近年来，在海底资源勘探、环境调查、深渊科考、深海考古等领域发挥了重要作用。

此外，中船集团七〇二所还牵头研发了“蛟龙号”“深海勇士号”等载人潜水器，引领了我国深海科技的跨越发展。

审核：朱建萍 发布：办公室

三星、SK海力士，加速在华扩产

3月25日，据韩国媒体Businesskorea报道，存储芯片大厂三星电子和SK海力士正在对他们在中国的工厂进行大规模设施投资，以同时提升工艺技术和产能。

随着全球人工智能（AI）投资热潮加剧存储半导体短缺，三星电子和SK海力士正全力调动包括中国工厂在内的所有产能来增加对客户的供应。

三星和SK海力士去年合计对中国工厂投资了1.5万亿韩元（约合69亿人民币、10亿美元），希望通过升级当地工厂的NAND Flash和DRAM生产工艺和产能来扩大芯片供应并提高盈利能力。

据韩国金融监督院3月24日发布的数据显示，三星电子去年在其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元（约合3.44亿美元），较上年的2778亿韩元（约合1.85亿美元）大幅增长了67.5%。

西安工厂是三星电子唯一的海外NAND Flash生产基地，产量约占其总产量的40%。

△三星西安工厂 报道称，三星电子在 2019 年向西安工厂投资约 6984 亿韩元后，从 2020 年到 2023 年没有进行任何重大投资。

但是该公司已恢复 2024 年的投资，投资了 2778 亿韩元，去年又将投资额增加到 4654 亿韩元，用于升级西安工厂的生产线。

同样，SK海力士去年在其位于中国无锡的DRAM生产工厂和位于大连的NAND Flash制造子公司进行了超过1万亿韩元（约合6.66亿美元）的投资。

其中，无锡DRAM工厂投资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元增长102%；

大连NAND Flash工厂投资4406亿韩元，增长52%。

这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND Flash工厂以来，首次在中国工厂进行万亿韩元规模的投资。

△SK海力士无锡工厂 尽管在2022年10月以来，美国对中国实施了针对半导体设备的出口管制，但三星电子和SK海力士这两家全球存储器“两大巨头”仍然积极投资中国生产设施，其背景是持续增长的存储芯片需求。

目前全球存储芯片市场供应短缺，三星、SK海力士、美光等头部大厂的DRAM 和 NAND Flash今年的全部产能已售罄。

随着AI服务从简单的搜索发展到需要更多推理和学习的“智能体”形式，对高性能DRAM 和NAND Flash的需求不断增长，AI数据中心所需的HBM订单也在激增。

事实上，瑞银证券预测，全球半导体市场规模将较去年增长超过40%，达到1万亿美元（约合1496万亿韩元）。

此外，由于AI基础设施投资，中国国内需求强劲。

去年，中国存储芯片市场规模约为4580亿元人民币（约合99万亿韩元），预计今年将进一步扩大。

由于仅靠韩国国内产能无法满足全球需求，三星电子和SK海力士正通过升级其位于中国的工厂（其关键生产基地之一）来扩大供应。

三星电子计划通过大量追加投资，将其西安NAND工厂的主要生产工艺从128层（第六代）升级到236层（第八代）。

一位业内人士解释说：“为了防止核心技术外泄，三星中国工厂和韩国工厂之间通常保持着大约两代的工艺差距。

” 他补充道：“由于三星计划今年在韩国生产400层（第十代）NAND产品，中国工厂向第八代NAND的过渡可能会加快。

” 据了解，SK海力士近期投资升级了其无锡工厂的DRAM生产工艺，从10纳米级的第三代（1z）工艺升级到第四代（1a）工艺。

此次升级后，无锡工厂将能够量产高附加值产品，例如DDR5内存，预计这将显著提升其业绩。

另一位业内人士评论道：“无锡工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，已经转型为高附加值产品生产基地。

”他还预测：“大连工厂也将通过加大投资，改善财务结构，提高生产效率。

” 编辑：芯智讯-浪客剑